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英特爾在鑄造競爭中落后于臺積電和三星

時間:2024-05-17 09:53|來源:|作者:網絡| 瀏覽:

英特爾曾大膽宣布,到2030年,它將在全球代工(半導體代工)市場上超過三星電子,但在上一次任命僅一年多后,它就更換了代工領導層,面臨著日益嚴重的困境。

據行業消息人士5月15日報道,英特爾最近任命Kevin Overklee為新的鑄造服務高級副總裁,這標志著短短14個月后領導層突然發生了變化。

半導體行業將這一人事變動視為加強尖端工藝競爭力的努力。隨著我們進入人工智能(AI)時代,英特爾推出的極紫外(EUV)光刻設備對其先進的鑄造工藝技術進行了測試,旨在加快技術成熟度,確保主要客戶的安全。

此外,英特爾更換領導層的決定反映了其對代工業務進行全面改革的意圖,代工業務已被確定為未來的主要收入來源,但仍持續出現重大虧損。從今年開始,英特爾將其代工業務部門分離,單獨披露業績。今年第一季度鑄造銷售額為44億美元,比去年同期減少10%,總額約為6萬億韓元。此外,英特爾的大部分代工銷售都是通過內部交易產生的,去年外部客戶銷售僅占代工收入的5%。運營虧損每年都在增加,2021年虧損51億美元,2022年虧損52億美元,2023年虧損70億美元,2024年第一季度虧損25億美元。

在美國政府的支持下,英特爾正在積極開發和大規模生產下一代鑄造工藝。由ASML獨家生產的EUV光刻設備可以在納米級的晶圓上形成更密集的半導體電路圖案。英特爾已先于臺積電和三星電子從ASML獲得2納米生產所需的高NA EUV設備。英特爾計劃在2026年下半年開始批量生產1.6納米(16A)工藝,并在2027年開始批量生產1.4納米(14A)工藝。

然而,英特爾的顯著弱點仍然是缺乏大規模生產尖端工藝的經驗。該公司選擇跳過3納米工藝,直接進入2納米以下的水平。目前,英特爾最先進的工藝是在7納米級別。英特爾最初于2018年退出代工業務,也就是進入代工業務兩年后,是因為難以提高7納米工藝的產量。代工業務的性質,交貨定價至關重要,加上英特爾的生產基地位于美國和歐洲,與臺積電和三星電子相比,造成了成本競爭力的劣勢。

一些分析師認為前景黯淡,懷疑英特爾到2030年在代工業務上能否達到盈虧平衡點。盡管英特爾計劃在2030年前超越三星電子,成為世界第二大代工廠,但市場研究公司TrendForce報告稱,英特爾的代工廠在去年第三季度的收入份額排名第九,但到第四季度已跌出前十。

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